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整合富士通资源飞索加速嵌入式闪存(eFlash)MCU研发

归档日期:05-24       文本归类:嵌入资源      文章编辑:爱尚语录

  飞索(Spansion)预定于2013年7~9月,完成富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模拟及混合信号部门购并,未来将加速整合该部门技术资源,以及自家的嵌入式电荷撷取(eCT)闪存技术,全力加速嵌入式闪存(eFlash)MCU研发,预计于2015年发布首款产品。

  飞索资深副总裁暨全球技术长Saied Tehrani表示,飞索购并富士通半导体MCU和模拟业务后,将可进一步扩大在汽车、工业和消费性电子等嵌入式系统市场的产品线阵容。

  飞索资深副总裁暨全球技术长Saied Tehrani表示,该公司在嵌入式市场与闪存领域已累积不少成果,若再结合富士通半导体MCU、模拟业务相关产品和技术,以及其在日本市场的优势,将可进一步扩大市场版图,带动飞索闪存产品销售成长。

  据了解,在双方购并作业完成后,富士通半导体将成为飞索MCU和模拟业务的晶圆代工厂,并将沿用既有的55纳米、65纳米及90纳米制程,为飞索量产eFlash MCU。

  Tehrani指出,除合并富士通半导体资源外,飞索亦于近期与联电达成40纳米制程合作协议,可望为旗下的系统单晶片(SoC)带来优势,未来也不排除透过该制程开发出更高性能、低功耗、高成本效益的MCU和SoC解决方案。

  据悉,飞索与联电的40纳米合作协议中,将授权联电其独家的eCT闪存技术,该技术类似飞索的MirrorBit技术,但经过修改和逻辑优化,故具备更快存取时间(低于10奈秒)和更低功率的特色,并易于与逻辑整合,较传统编码型(NOR)闪存生产方式使用更少的光罩制程步骤,让eCT能整合闪存和高性能逻辑SoC产品,成为具有成本效益的解决方案。

  面对eFlash MCU市场竞争者众,Tehrani强调,该公司在非挥发性记忆体发展有悠久的历史,并在嵌入式MCU和SoC独立式闪存的eCT技术发展上超过10年经验,且拥有的嵌入式闪存技术系专为先进的逻辑设计,因此具备更快存取速度、低功耗及高运算效率的优势,有利于提高日后旗下eFlash MCU产品的市场竞争力。

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